Samsung также представит 280-слойную флэш-память 3D QLC NAND и чипы памяти DDR5-8000 объемом 32 Гбит на выставке ISSCC

Переведено с помощью DeepL

Помимо памяти GDDR7 с пропускной способностью 37 Гбит/с, Samsung Electronics готовится продемонстрировать на выставке IEEE-SSCC (ISSCC) 2024 несколько других новинок в области памяти.

Прежде всего, компания представит новую 280-слойную флэш-память 3D QLC NAND плотностью 1 Тб, которая позволит создать новое поколение мейнстримовых SSD и накопителей для смартфонов. Этот чип обеспечивает плотность записи 28,5 Гб/мм² и скорость 3,2 Гб/с. Для сравнения, самые быстрые типы флэш-памяти 3D NAND, которыми оснащаются современные флагманские SSD NVMe, работают на скорости 2,4 ГБ/с.

Далее следует чип памяти DDR5 нового поколения, обеспечивающий скорость передачи данных DDR5-8000 при плотности 32 Гбит (4 ГБ). Этот чип использует симметрично-мозаичную архитектуру ячеек DRAM и построен на литейном узле 5-го поколения класса 10 нм, оптимизированном Samsung для продуктов DRAM.

Что впечатляет в этом чипе, так это то, что он позволит производителям памяти для ПК создавать модули DIMM объемом 32 и 48 ГБ в одноранговой конфигурации со скоростью DDR5-8000, а также модули DIMM объемом 64 и 96 ГБ в двухранговой конфигурации (впечатляет, если ваша платформа может хорошо работать с DDR5-8000 в двухранговой конфигурации).

Там ещё числится 48Гб 128Гб/с HBM3E и 16ГБ 10.5 Гбит/с LPDDR5T от SK Hynix

https://twitter.com/harukaze5719/status/1751960123898290443