Samsung сообщила об успешном создании чипа по техпроцессу 3-нм

Компания намерена начать его производство уже в следующем году.

Практический образец разработан с использованием новой технологии производства транзисторов MBCFET, который получит шину на 256-Мбит на массиве памяти SRAM.

Добавим, что MBCFET — новая зарегистрированная торговая марка, основанная на концепции производства GAAFET, когда канал чипа окружён затвором с четырёх сторон для уменьшения размера, снижения энергопотребления и повышения производительности. Первое описание техпроцесса хоть и появилось давно — в 1988, но массовое производство было невозможно.

Также производство чипов на новой технологии позволит менять ширину и число каналов-наностраниц, что способствует более гибкой настройке мощности и энергопотребления для конкретных линеек.

По словам компании, производительность на такт в 3-нм MBCFET выросла на 30%, энергопотребление снизилось на 50%, а плотность транзистора увеличилась на 45%, — по сравнению с 7-нм 7LPP.

Если будущие тесты продолжат показывать положительные результаты, Samsung запустит производство 3-нм полупроводников уже в следующем году.