Samsung готовит память HBM4 к запуску в 2025 году
Переведено с помощью DeepL
Технология памяти с высокой пропускной способностью (HBM) достигла значительного прогресса с момента своего появления на рынке менее десяти лет назад.
Видеокарты Radeon RX Fury и RX Vega не слишком популярны в наши дни, но развитие технологии HBM продвинуло ее гораздо дальше, только не для геймеров.
Изначально предлагавшая повышенную скорость передачи данных и увеличенную емкость, HBM сегодня стоит на пороге самой значительной на сегодняшний день трансформации, обусловленной ростом популярности рабочих нагрузок, связанных с искусственным интеллектом.
Недавний отчет намекает на появление стеков памяти нового поколения HBM4 с 2048-битным интерфейсом памяти, что вдвое превышает используемый с 2015 года 1024-битный интерфейс.
Компания Samsung Electronics Co., являющаяся значимым игроком на рынке микросхем памяти, обнародовала свои амбиции на будущее.
По словам Санг Джун Хванга, исполнительного вице-президента Samsung по продуктам и технологиям DRAM, компания планирует представить чипы DRAM шестого поколения HBM4 в 2025 году.
В дальнейшем Samsung выпустила серийные HBM2E и HBM3, а также разработала HBM3E со скоростью передачи данных 9,8 Гбит/с, которую мы скоро начнем поставлять заказчикам, стремясь обогатить экосистему HPC/AI.
В перспективе к 2025 году ожидается появление HBM4, причем в настоящее время разрабатываются технологии, оптимизированные для обеспечения высоких тепловых характеристик, такие как сборка на основе непроводящей пленки (NCF) и гибридное медное соединение (HCB).
В своей статье в новостном отделе полупроводниковой продукции Samsung Хванг Санг-Джун подтвердил, что серийное производство HBM2E и HBM3 продолжается.
Samsung также готовится предоставить заказчикам образцы HBM3E со скоростью 9,8 Гбит/с.
Что особенно важно, разработка HBM4 ведется в соответствии с графиком, намеченным на 2025 год.
Хотя подробности о HBM4 остаются скудными, Samsung намекает на такие инновационные функции, как "непроводящая пленка" и "гибридное медное соединение", повышающие энергоэффективность и теплоотдачу.