Intel показала Meteor Lake с установленной на подложке памятью LPDDR5X-7500
Переведено с помощью DeepL
Корпорация Intel представила серию статей и видеороликов, в которых подробно рассматривается путь компании к разработке более сложных упаковочных решений для своих текущих и готовящихся к выпуску продуктов.
Среди представленных устройств - Granite Rapids (на фото), Sierra Forest и Ponte Vecchio.
Однако главным экспонатом стал процессор Meteor Lake, который выделялся наличием встроенной памяти.
С выпуском Meteor Lake компания Intel отказывается от традиционного монолитного дизайна чипов для сегмента мейнстрим-клиентов.
Несмотря на то, что это не первая попытка применения такого подхода, Meteor Lake представляет собой значительную веху, где "гибкая плиточная архитектура" действительно демонстрирует преимущества технологии упаковки Foveros, разделяя матрицы CPU, GPU и SoC на отдельные плитки.
Согласно статье на сайте Intel, компания активно изучает возможность интеграции памяти LPDDR5X производства Samsung непосредственно в корпус процессора.
Как следует из маркировки памяти, такая интегрированная память будет иметь характеристики 16 ГБ LPDDR5X-7500 и обеспечивать потенциальную пропускную способность до 120 ГБ/с.
Это превосходит возможности DDR5-5200 или LPDDR5-6400, которые используются в мобильных процессорах нынешнего поколения.
Концепция увеличения объема памяти для процессоров не нова, однако компания Intel отстает в развитии многоматричной памяти по сравнению с такими конкурентами, как AMD и Apple.
В частности, процессоры Apple M1/M2 Silicon имеют поразительное сходство с предложениями Intel в области встроенной памяти.
Представленный Intel корпус - это уменьшенный вариант, предназначенный для систем с ультранизким энергопотреблением, вероятно, работающих в диапазоне от 9 до 28 Вт.
Интегрируя системную память непосредственно в корпус процессора, Intel стремится создать еще более компактные платы для более компактных и легких систем - направление, которое, вероятно, будет приоритетным для серии Meteor Lake.
Размещение DDR памяти на подложке рядом с чипом можно увидеть в упоминаемых в посте:
Apple M1 - APL1102 - да он именно вот так выглядит, будто теплораспределительную крышку криво распили и сверху налепили, выглядит очень колхозно, справа LPDDR4x память
Apple M2 - APL1109 - внешне также, справа LPDDR5 (без X)
У видеокарт видел один раз, где DDR память размещалась на подложке:
PS3 - RSX - 2006 год - видеочип 7900 GT с порезанной шиной до 128 Bit (оригинал 256 Bit)
Не путайте с HBM памятью, она располагается исключительно на подложке, в упор с кристаллу
Пример - AMD Radeon Instinct MI300 - 128 Гб HBM3