По слухам, Samsung приобретает новое оборудование в связи с разочаровывающими показателями производства HBM

Переведено с помощью DeepL

Отраслевые инсайдеры считают, что Samsung Electronics переходит на технологию производства микросхем с формованным заполнением (MR-MUF) - конкурент производителя памяти, SK Hynix, является чемпионом в этой технологии.

В эксклюзивном сообщении Reuters приводятся утверждения пяти отраслевых инсайдеров - они считают, что Samsung реагирует на неудовлетворительные показатели производства HBM.

Издание предполагает, что: "одной из причин отставания Samsung от конкурирующих производителей является ее решение придерживаться технологии производства чипов под названием "непроводящая пленка" (NCF), которая вызывает некоторые проблемы с производством, в то время как Hynix перешла на метод массового литья под давлением (MR-MUF), чтобы устранить недостатки NCF".

В отчете говорится, что Samsung находится в процессе заказа нового оборудования, связанного с MUF.

Один анонимный источник заявил: "Samsung нужно было что-то предпринять, чтобы увеличить объемы производства HBM... Принятие метода MUF - это своего рода проглоченная гордость для них, потому что в итоге они последовали технологии, впервые использованной SK Hynix".

Reuters удалось получить ответ от гигантской южнокорейской транснациональной корпорации - представитель компании заявил: "Мы занимаемся продуктами HBM3E в соответствии с планом".

Они отметили, что технология NCF остается "оптимальным решением".

После публикации появился еще один официальный ответ: "Слухи о том, что Samsung будет применять MR-MUF в производстве HBM, не соответствуют действительности".

Инсайдеры предполагают длительный этап тестирования - по слухам, Samsung занимается поиском материалов MUF, но массовое производство не начнется в этом году.

Три инсайдера утверждают, что Samsung планирует "использовать как NCF, так и MUF-технологии" для памяти HBM нового поколения.