Samsung разработала первую вычислительную систему на базе магниторезистивной памяти MRAM

Технология демонстрирует высокую энергоэффективность и износостойкость.

Южнокорейская компания объявила о создании первого в мире функционального чипа, в котором все вычисления происходят в магниторезистивной оперативной памяти MRAM.

Проектированием занимался Институт передовых технологий Samsung (SAIT) в сотрудничестве с полупроводниковыми подразделениями, а результаты исследования опубликованы в журнале Nature.

В отличие от традиционных типов запоминающих устройств, вроде DRAM или Flash, информация в MRAM хранится не в виде электрических зарядов, а в магнитных элементах — с помощью спиновых вентилей.

Преимуществом такого подхода считается скорость, износостойкость и энергонезависимость — память может сохранять данные даже при отсутствии внешнего питания.

MRAM постепенно выходит на коммерческий рынок, но поскольку считывание информации в ней осуществляется измерением электрического сопротивления ячеек, его не всегда достаточно для оптимальной работы в полупроводниковых системах.

Инженерам Samsung удалось разработать микросхему с массивом магниторезистивных запоминающих устройств (64×64), который решает эту проблему благодаря архитектуре с суммированием сопротивлений для аналоговых операций умножения-накопления.

Чип изготавливается по 28-нм техпроцессу, а вычисления происходят в самой оперативной памяти — без перемещения данных в процессор или другие структуры.

По словам инженеров, технология ляжет в основу микроконтроллеров, устройств интернета вещей и искусственного интеллекта следующего поколения. При тестировании алгоритмов система показала точность 98% в определении рукописных цифр и 93% в распознавании лиц.

Разработчики считают, что чип на базе MRAM можно использовать не только для вычислений в памяти, но и в качестве платформы для загрузки биологических нейронных сетей. Это соответствует концепции нейроморфной электроники, которую Samsung предложила в сентябре 2021 года.

#samsung #память #mram #новости