Обзор карты памяти Silicon Power Inspire объемом 256 ГБ

Модель Silicon Power Inspire позиционируется как высокоскоростная карта microSD с показателями чтения до 170 МБ/с и записи до 150 МБ/с. Накопитель соответствует классам UHS-I U3 и V30, гарантируя минимальную скорость записи для видео в 30 МБ/с, а поддержка A2 оптимизирует его для использования в смартфонах. Однако ключевой особенностью, выявленной в ходе подготовки к тестированию, является реализация скоростного режима DDR200, для раскрытия потенциала которого требуется совместимое оборудование.

Заявленная скорость чтения модели Inspire составляет до 170 МБ/с, а записи — до 150 МБ/с. Карта соответствует стандартам UHS-I U3 и классу скорости V30, что означает гарантированную минимальную скорость записи видео 30 МБ/с, а поддержка класса A2 оптимизирует ее для работы в качестве накопителя для приложений в смартфонах. Накопитель защищен от воздействия воды, ударов и рентгеновского излучения, ели кому-то эта информация важна.

Традиционная упаковка для подавляющего большинства карта памяти – блистер. И Silicon Power Inspire упакован точно так же. Визуальное оформление довольно яркое из-за цветового решения – черный и ярко желтый. Здесь же есть и упоминание о скоростных характеристиках и о разных скоростных классах.

Помимо самой карты памяти, внутри упаковки нас ждет полезный бонус — переходник в SD-формат. Благодаря ему карта становится более универсальной, так как использовать в таком виде ее можно не только там, где нужен микроформат, но и там, где нужен полноразмерный вариант. Короче, мелочь, но иногда полезная мелочь. И приятно что эта мелочь есть в комплекте.

Визуально Silicon Power Inspire довольно яркая карта памяти. Ее внешность вторит упаковке (или наоборот). Верхняя половина карты – черная, а нижняя – желтая. Здесь же нанесен логотип бренда SP, наименование линейки, объем и классы скорости. Из интересного, указан тип памяти – TLC. Такое не часто встретишь.

Тыльная сторона просто черная и в общем-то ничем не интересна: восемь контактов да буквенно-цифровое обозначение, которое, по всей видимости, означает серийный номер.

Прежде чем перейти к собственно тестированию считаю важным немного отступить от темы и рассказать небольшую предысторию.

Тестирование планировалось проводить на приличном кардридере – Transcend RDF9. Он понимает и UHS-I (до 104 МБ/с), и быстрый UHS-II (до 312 МБ/с). Поколение UHS-II имеет дополнительный ряд контактов и визуально с UHS-I их не спутать.

Запускаю CrystalDiskMark и вижу скорость ≈90 МБ/с. Перепроверил разъемы, переткнул в картридер в USB 3.2 Gen 2, передернул саму карточку в кардридере. Ничего не изменилось.

Пару-тройку лет назад я покупал кардридер Transcend RDF9 именно для того, чтобы была возможность читать на полной скорости все (как мне тогда казалось) карты памяти. UHS-I есть, UHS-II есть, значит все что до 312 МБ/с он должен уметь читать на полной скорости. Но не тут-то было. Начинаю пристально изучать спецификации карты памяти Silicon Power Inspire и нахожу там следующие строки: «…производительность со скоростью чтения до 170 МБ/с, используя устройство с поддержкой DDR200». Карта памяти точно UHS-I. Это видно по контактам. Откуда тогда скорость выше 104 МБ/с (SDR104)?

Оказывается, есть еще не совсем стандартный протокол UHS-I – DDR200, который может дать скорость карте до 170 МБ/с. Вот только редкий производитель картридеров про этот протокол слыхивал, да и вообще своих спецификациях они не очень-то утруждаются писать что-то кроме UHS-I и/или UHS-II. А только в одном UHS-I есть как минимум SDR104, SDR50, DDR50, не говоря о более медленных. Интересно, что в самом стандарте DDR200 в SD Card Association не особо-то и слышали…

Что я хочу этим сказать? Чтобы на полной скорости прочитать/записать карту памяти microSD UHS-I с заявленной скоростью больше 104 МБ/с нужен кардридер с поддержкой DDR200. Таких очень сильно мало и вычислить их довольно сложно. Кстати, в отзывах на многие карты памяти люди упираются именно в возможности своего кардридера, видят скорость ниже заявленной и пишут гневный отзыв.

В общем, для тестирования пришлось приобрести другой кардридер с поддержкой DDR200 – Lexar RW310.

Итак, для тестирования Silicon Power Inspire использовался кардридер Lexar RW310 с поддержкой необходимого протокола DDR200. Только кардридер с поддержкой этого протокола покажет истинную скорость карты памяти и не станет бутылочным горлышком.

Silicon Power Inspire форматирована в файловую систему exFAT. Итоговый доступный объем равен 231 ГБ.

Цифры бенчмарков говорят сами за себя: в синтетических тестах карта стабильно выдает скорости близкие к заявленным, как для чтения, так и для записи. Нормально!

AIDA64 Disk Benchmark записал весь объем карты за 78 минут и 5 секунд (4685 секунд). На протяжении всего объема накопителя видим график, стремящийся к прямой линии со средней скоростью ≈150 МБ/с.

По результатам тестирования с использованием кардридера Lexar RW310, поддерживающего протокол DDR200, карта памяти Silicon Power Inspire демонстрирует скорости, близкие к заявленным производителем. Синтетические тесты и длительная непрерывная запись всего объема подтверждают стабильность работы на уровне ≈150 МБ/с для записи данных. Таким образом, накопитель соответствует своей спецификации, но для достижения максимальной производительности пользователю необходимо убедиться в наличии совместимого кардридера, что является критически важным нюансом для карт, если вы хотите использовать возможности карты по максимуму.

Мой личный телеграм-канал с анонсами обзоров и прочим на тему ПК и электроники