Samsung представила модули оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ c частотой 7,2 ГГц
Для её производства применяют техпроцесс HKMG, который используется для GDDR6.
Samsung анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 для использования в дата-центрах и суперкомпьютерах.
Объём одного модуля может достигать 512 ГБ. Для достижения такого объёма Samsung использует по 20 8-слойных чипов с каждой стороны модуля. Подобную технологию компания применяет с 2014 года, когда были впервые представлены серверные модули DDR4 на 256 ГБ.
Благодаря использованию DDR5 и техпроцесса High-K Metal Gate (HKMG) новая память на 13% более энергоэффективна и достигает частоты 7,2 ГГц, что как минимум вдвое быстрее большинства модулей DDR4. Это не предельная скорость для DDR5 — технология позволяет создавать модули с частотой до 8,4 ГГц (или скорости 8,4 Гбит/с на контакт).
Промышленные модули Samsung предназначены для использования в наиболее требовательных сферах применения: разработке искусственного интеллекта, машинного обучения, дата-центрах для облачных вычислений, центрах управления «умными» городами и предприятиями тяжёлой промышленности и суперкомпьютерах.
Одними из первых поддержку такой оперативной памяти получат процессоры Intel Xeon поколения Saphire Rapids — инженеры Intel напрямую сотрудничали с Samsung при разработке модулей DDR5.
В потребительском сегменте DDR5 начнёт появляться уже в ближайшем будущем — в конце 2021-го или начале 2022 года.
Браузер Хром одобряет эту новость
Комментарий недоступен
Жаль Интернет-Эксплорер не дожил до этой новости - он бы на пару секунд быстрее стал бы открываться.
512 ГБ c частотой 7,2 ГГц
Можно будет одну плашку ставить или не канон?
Комментарий недоступен
Ну опять хуйня, Никита, переделывай