2 нм процесс значительно отличается от существующих 5 нм и 7 нм, а также запланированного на следующий год 3 нм, которые производятся по технологии Fin-FET (Fin Field-effect Transistor). Ранее производство процессоров с расстоянием 2 нанометра между транзисторами считалось невозможным, так как в таких условиях появляются серьёзные проблемы с рассеиванием тепла, энергоэффективностью и производительностью.
Комментарий недоступен
Что-то из разряда: "Люди умирают, если их убивать".
Комментарий недоступен
Плотность транзисторов лучше скажите, а ни хрена не понять у кого какой тех. процесс и чем они отличаются. От ваших разных нм ни тепло, ни холодно.
Комментарий недоступен
Я был под впечатлением, что как раз тсмц метод именования техпроцесса более отражает плотность транзисторов. А интеловский с их 10 нм, отходит от этого, непонятно только вверх или вниз.
Ты, типа, из АМД и выбираешь кому заказать производить проц? Думаю, не ошибешься, если продолжишь сотрудничество с TSMC ;)