СМИ: TSMC готова перейти на 2 нм техпроцесс к 2023 году — такие чипы будут мощнее и энергоэффективнее существующих
Современные процессоры создаются по техпроцессам 7, 10 и 14 нм.
Тайваньские СМИ сообщают, что TSMC завершила разработку 2 нм техпроцесса создания микропроцессоров и готовится запустить массовое производство таких чипов к 2023 году.
2 нм процесс значительно отличается от существующих 5 нм и 7 нм, а также запланированного на следующий год 3 нм, которые производятся по технологии Fin-FET (Fin Field-effect Transistor). Ранее производство процессоров с расстоянием 2 нанометра между транзисторами считалось невозможным, так как в таких условиях появляются серьёзные проблемы с рассеиванием тепла, энергоэффективностью и производительностью.
Чтобы преодолеть этот барьер, TSMC разработала GAA-FET (Gate-all-around Field-effect Transistor), надёжно экранированный со всех сторон затворами. Сообщается, что техпроцесс 2 нм может лечь в основу «прорыва» в создании компактных, мощных и энергоэффективных процессоров.
Но до появления подобный продуктов ещё не менее трёх лет. Прежде всего TSMC необходимо найти партнёра, который разработает реальные чипы с использованием нового техпроцесса. Известно, что в 2021 году первые 5 нм процессоры представят Qualcomm, Apple и AMD, а в 2022 году ожидается переход на 3 нм (Fin-FET).
При этом 2023 год — оптимистичный прогноз. Техпроцессы могут проходить несколько этапов совершенствования или просто использоваться по несколько раз. Например, Intel перешла на 14 нм в 2015 году, дорабатывает его до сих пор и не намерена отправлять эту технологию на покой до 2022 года.
Тайваньская TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) — ведущий производитель чипов в мире. На фабриках компании производятся процессоры и графические процессоры Qualcomm, Apple, NVIDIA, AMD, Mediatek и даже некоторые продукты Intel.
Главный конкурент TSMC — Samsung — на данный момент развивает 8 нм техпроцесс. Ранее сообщалось, что именно с его помощью производятся чипы для видеокарт NVIDIA GeForce RTX 30-й серии. Корейский концерн также планирует в ближайшие годы перейти на GAA-FET и представить 3 нм техпроцесс.