Состоялся анонс серверного DDR5 модуля объёмом 512 Гб

Южнокорейская компания Samsung представила первые в мире 512 Гб плашки оперативной памяти стандарта DDR5. Чипы предназначены для серверных нужд (RDIMM) и основаны на технологии High-K Metal Gate (HKMG).

По сравнению с DDR4, производительность новых модулей выросла вдвое а энергопотребление сократилось на 13%. Скорость передачи данных достигает 7200 Мбит/с.

На одной 512 Гб плашке разместили тридцать два 16-гигабитных восьмислойных чипов памяти (8-Hi). Объём каждого чипа составляет 16 Гбайт.

High-k — технология производства МОП полупроводниковых приборов с подзатворным диэлектриком, выполненным из материала с диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния. Название происходит от диэлектрической константы материала, обозначаемой буквой κ (каппа).